IGBT模块
封装
集电极-发射极电压VCE(V)
集电极电流IC(A)
栅极电压VGE(V)
功耗PD(W)
最大结-壳热阻Rth(j-c)(℃/W)
饱和压降VCE(sat)(V)
栅极导通电压VGE(th)(V)
结温Tj(℃)
TYPE
封装
结温Tj(℃)
集电极-发射极电压VCE(V)
集电极电流IC(A)
栅极电压VGE(V)
功耗PD(W)
最大结-壳热阻Rth(j-c)(℃/W)
饱和压降VCE(sat)(V)
栅极导通电压VGE(th)(V)
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